locos sti比較
由林美慧著作·2006—...STI機台比較………...……..………………………..25.圖3-11缺陷來源分析實驗流程...STI)製程取代傳統LOCOS方式,以滿足高積成密度的要求。1.2研究動機與目的.圖1-1為CMOS製程 ...,STI溝的深寬比大約在2:1~5:1,由於DRAM器件對漏電流的敏感,需要更高的深寬比...
工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文
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由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforreducingelectricalinterferencesbetweendevicesofsub-microandsub100- ...
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